原来是它,存储含量高达37%!——信创ETF大涨点评
创始人
2026-06-26 01:57:33

来源:市场资讯

(来源:国泰基金微幸福)

信创ETF国泰(159537)今日收涨6.47%。

上涨因素分析

美光今日凌晨发布财报,大超市场预期。FY26Q3实现营收 414.6亿美元,YoY +346%;Non-GAAP EPS为25.11美元。毛利率高达84.9%,再创历史新高。此外,公司指引FY26Q4指引营收 500±10亿美元,Non-GAAP EPS为31±1美元,毛利率约 86%。公司已签署16份长期协议,HBM持续供不应求。

存储涨价,国产存储产业链深度受益

根据TrendForce集邦咨询,今年第二季度DRAM合约价预计环比上涨58%至63%,NAND闪存合约价环比上涨70%至75%。此外,根据相关指引,存储芯片价格在Q3有望保持30%左右环比涨幅,这一点从美光毛利率指引提升看也可见一斑。

在全球存储涨价的大背景下,国内存储芯片和存储模组厂商有望同步受益,业绩端加速放量已在报表端有明显表现,有兴趣的投资者可关注信创ETF(159537),截至2026年6月24日,存储模组+存储芯片+内存接口芯片含量高达37.23%,存储含量高于普通的半导体类指数(如科创芯片设计等),有兴趣的投资者可以持续关注。

来源:WIND

存储扩产,半导体设备迎成长黄金期

半导体设备近期成长叙事良多,包括半导体设备涨价、设备出海、存储扩产、两存上市、去日化等多重引擎共振。美光FY26Q3资本开支约70亿美元,并指引FY26Q4预计提升至约100亿美元,可见存储扩产正在加速。而材料端也因存储高度景气、成熟制程稼动率高企等因素而快速成长。半导体设备和材料均深度受益于存储涨价和存储扩产,有兴趣的投资者可关注半导体设备ETF(159516)。

不过还是需要注意波动风险,短期涨幅较大叠加存储龙头上市前后可能存在兑现需求,波动可能加大。还是需要采取分批、逢低布局等方式较为安全。

具体持仓可能随市场波动。提及个股仅用于行业事件分析,不构成任何个股推荐或投资建议。指数等短期涨跌仅供参考,不代表其未来表现,亦不构成对基金业绩的承诺或保证。观点可能随市场环境变化而调整,不构成投资建议或承诺。提及基金风险收益特征各不相同,敬请投资者仔细阅读基金法律文件,充分了解产品要素、风险等级及收益分配原则,选择与自身风险承受能力匹配的产品,谨慎投资。涉及基金费率请查阅法律文件。

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