芯恩申请MIM电容及其制作方法专利，降低MIM电容的漏电_资讯

芯恩申请MIM电容及其制作方法专利，降低MIM电容的漏电

创始人

2026-03-05 05:42:01

国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“MIM电容及其制作方法”的专利，公开号CN121604446A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种MIM电容及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成下电极；进行热处理在所述下电极表面形成表面处理层；在所述表面处理层上形成介电质层。本发明通过对下电极表面进行热处理使得下电极表面形成表面处理层，由此改善下电极表面的粗糙度，修复下电极表面的缺陷，减小了下电极与介电质层之间的界面缺陷，从而降低MIM电容的漏电，提高MIM电容的性能。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目182次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息985条，此外企业还拥有行政许可56个。

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来源：市场资讯

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