飞锃半导体取得一种半导体结构专利，提高器件性能和可靠性_资讯

飞锃半导体取得一种半导体结构专利，提高器件性能和可靠性

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2025-05-07 16:21:02

金融界2025年5月7日消息，国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司取得一项名为“一种半导体结构”的专利，授权公告号CN222827574U，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、位于所述第一掺杂区中的第二掺杂区以及位于所述第二掺杂区中的第三掺杂区，所述外延层表面形成有暴露部分所述第三掺杂区的栅极氧化层和栅极层；第一开口，位于所述暴露的第三掺杂区中；第一金属硅化物，位于所述第一开口中；层间介质层，位于所述第一金属硅化物表面。本申请提供一种半导体结构，可以提高第一金属硅化物的对准精度；提高第一金属硅化物和第二金属硅化物的电连接性；提高电场分布，提高器件性能和可靠性。

天眼查资料显示，飞锃半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息103条，此外企业还拥有行政许可3个。

来源：金融界

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