国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121531770A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：提供基底，基底包括间隔设置的第一器件区和第二器件区；于各器件区上形成初始叠层结构，初始叠层结构包括初始栅极结构和第一介质层，第一介质层位于初始栅极结构远离基底的一侧；以第一器件区的第一介质层为掩膜，于第一器件区中形成器件填充槽；于所述器件填充槽中形成第一源漏极，并去除各器件区的第一介质层；于第二器件区形成第二源漏极。稳定初始栅极结构对应的栅极的厚度，提高半导体结构的性能。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1632条，此外企业还拥有行政许可22个。

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来源：市场资讯