燕芯微电子申请半导体阵列及其制作方法专利,提高存储容量
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2026-01-03 04:01:17

国家知识产权局信息显示,燕芯微电子(上海)有限公司;北京大学申请一项名为“半导体阵列及其制作方法、三维存储器及电子设备”的专利,公开号CN121262833A,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本申请涉及一种半导体阵列及其制作方法、三维存储器及电子设备,涉及集成电路领域。半导体阵列包括:选通电路层,包括多个晶体管,晶体管与其相邻的另一晶体管共用漏极;多个存储列,对应多个晶体管设置,存储列包括沿列方向设置的多个存储单元;多个第一选通线,垂直设于选通电路层上,第一选通线连接一列存储列并与至少一个晶体管的源极连接;多个第二选通线,沿垂直于选通电路层的方向间隔排列,第二选通线连接与其同层设置的存储单元;在垂直于选通电路层的截面,存储单元位于第一选通线与第二选通线之间。选通电路层中的相邻晶体管共用漏极,晶体管布局更紧凑,可将多个存储列设置的更紧凑,减少存储列之间间距,提高存储容量。

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来源:市场资讯

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