金融界2024年1月12日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法“,公开号CN117393535A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,本发明的实施例提供了半导体器件。该半导体器件包括:衬底,具有器件区以及围绕器件区的外围区;通孔,设置在外围区处并且至少部分地延伸穿过衬底;绝缘结构,设置在外围区处,绝缘结构至少部分地延伸穿过衬底并且围绕通孔;以及掺杂区域,设置在外围区处,位于衬底上方或位于衬底中,并且与通孔相邻,掺杂区域位于通孔和绝缘结构之间;以及一个或多个互连件,设置在衬底上方的层间电介质(ILD)内,并且被配置为将通孔电耦接至掺杂区域。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
来源:金融界