台积电申请半导体专利，能够实现半导体器件的高效互连
金融界
2024-01-13 20:11:59
金融界2024年1月12日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法“，公开号CN117393535A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供了半导体器件。该半导体器件包括：衬底，具有器件区以及围绕器件区的外围区；通孔，设置在外围区处并且至少部分地延伸穿过衬底；绝缘结构，设置在外围区处，绝缘结构至少部分地延伸穿过衬底并且围绕通孔；以及掺杂区域，设置在外围区处，位于衬底上方或位于衬底中，并且与通孔相邻，掺杂区域位于通孔和绝缘结构之间；以及一个或多个互连件，设置在衬底上方的层间电介质(ILD)内，并且被配置为将通孔电耦接至掺杂区域。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
来源：金融界
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