北京大学申请半导体结构专利，实现源漏互连时的自对准
金融界
2024-04-09 16:32:15

原标题：北京大学申请半导体结构专利，实现源漏互连时的自对准

金融界2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备“，公开号CN117855144A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。通过本申请，可以实现源漏互连时的自对准。

来源：金融界

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