金融界2024年3月8日消息,据国家知识产权局公告,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种永磁铁氧体用高硅铁红中硅杂质的去除方法及使用高硅铁红制备永磁铁氧体的方法“,公开号CN117658645A,申请日期为2022年8月。
专利摘要显示,本发明涉及永磁铁氧体制备技术领域,公开一种永磁铁氧体用高硅铁红中硅杂质的去除方法,包括高硅铁红与氢氧化钠混合,加热使氢氧化钠熔融发生反应;反应后将熔融的碱液和高硅铁红离心分离;降温并漂洗固体、干燥。本发明的技术方案解决了高硅铁红因硅含量太高而难以直接用于现有工艺制作高性能的永磁铁氧体的问题,所提供的高硅铁红的硅杂质去除方法能有效去除所含的二氧化硅、碳化硅等杂质,满足高性能永磁铁氧体的制备,所制备的永磁铁氧体的性能与使用低硅含量铁红的制备性能相近,极大的拓展了制备永磁铁氧体的铁红原料来源,降低了铁红原料成本。
来源:金融界