鹏芯微申请半导体器件制造方法专利,可用于半导体器件制造
创始人
2025-03-19 21:22:38

金融界2025年3月19日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利,公开号 CN 119630048 A,申请日期为2023年9月。

专利摘要显示,本公开提供了一种半导体器件的制造方法,涉及半导体技术领域,所述方法包括:提供衬底结构,衬底结构包括:衬底,包括用于不同类型晶体管的第一区域和第二区域,在衬底上间隔的多个鳍片,在多个鳍片上的蚀刻停止层,在蚀刻停止层上的功函数层,功函数层包括在第一区域上的第一部分和在第二区域上的第二部分,以及图案化的硬掩膜层,硬掩膜层包括第一硬掩膜层和在第一硬掩膜层上的第二硬掩膜层,硬掩膜层具有开口,开口使得第二部分暴露;以蚀刻停止层为停止层去除第二部分,以使得第一部分的侧壁露出;形成至少覆盖侧壁的保护层;以及在形成保护层后,去除第二硬掩膜层。

天眼查资料显示,深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司,成立于2021年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币,实缴资本308000万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目12次,财产线索方面有商标信息50条,专利信息43条,此外企业还拥有行政许可204个。

来源:金融界

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