南亚科技申请半导体结构及其形成方法专利，减小寄生电容
创始人
2024-11-02 07:01:06
金融界2024年11月1日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成的方法”的专利，公开号CN 118843309 A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构，包括基板、基板上的多个位元线结构、每个位元线结构的侧壁上的间隙物结构、基板上的多个导电结构，以及位元线结构与导电结构之间的介电层。间隙物结构包括内部子间隙物、外部子间隙物，以及内部子间隙物与外部子间隙物之间的气隙。每个导电结构通过位元线结构分隔开来。与位元线结构直接接触的介电层的第一部分具有第一最大高度，与导电结构直接接触的介电层的第二部分具有第二最大高度，以及第一最大高度大于第二最大高度。半导体结构使得较大的气隙可形成在位元线结构的侧壁上以减小寄生电容。
来源：金融界
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