作为HBM和企业级SSD领域的后来者，三星誓言通过新技术巩固领导地位。

三星电子计划在2026年推出400层垂直NAND芯片，以引领人工智能热潮中快速增长的存储设备市场。

这是三星的最新发展路线图，以最大程度提升产能和性能。

目前，三星量产286层高容量V9 NAND芯片。

在现有的NAND芯片中，存储单元位于外围设备的顶部，外围设备承载着芯片的内部。

然而，300层及以上的单元会经常损坏外围设备。

借助先进的第10代V NAND（V10），三星计划应用创新的按键合技术，即在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备，然后进行键合。

三星表示，这种方法将实现具有大存储容量和出色的硬盘性能的超高NAND堆栈，非常适合AI数据中心的超高容量SSD。

这款芯片被被称为键合垂直NAND Flash，或BV NAND，是人工智能的梦幻NAND。

2013年，三星率先推出V NAND芯片，推出垂直存储单元，BV NAND承载单位的密度提高了1.6倍。

三星计划2027年推出V11 NAND，将数据输入和输出提高50%。

还计划推出SSD订阅服务，面向希望管理昂贵的AI半导体科技公司。

到2030年，NAND芯片将超过1000层。

三星已承诺要巩固在高容量、高性能NAND市场的领先地位。

基于NAND的存储设备竞争非常激烈，因为AI芯片的核心在于推理，这需要大容量存储设备来存储和处理图像和视频。

数据显示，截至第二季度，三星已经是NAND领域的主导者，控制着全球超过35%的市场。

为加强在DRAM领域的领先地位，三星计划最早在2024年底发布第六代10纳米 DRAM（即1c DRAM）和第七代10纳米DRAM（即1d DRAM），用于HBM4等先进的AI芯片。

根据三星的内存路线图，2027年推出10纳米以下DRAM，即0a DRAM。

0a DRAM的关键特性是应用垂直通道晶体管3D结构，类似于NAND闪存中使用的技术，以提高性能和稳定性。

通过垂直堆叠单元，VCT DRAM可以减少单元之间的干扰并增加容量。

还计划加快开发HBM以外的AI专用内存产品，例如低功耗内存处理 (LP-PIM)。

市场研究，全球存储市场规模预计将从2024年的920亿美元增长到2026年的2270亿美元。

三星预计2024年至2029年期间，服务器DRAM和企业级SSD市场每年将分别增长27%和35%。