金融界2024年1月27日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“图像传感器、半导体器件及其形成方法“,公开号CN117457695A,申请日期为2019年11月。
专利摘要显示,本发明的实施例提供了一种图像传感器,包括光敏传感器、浮置扩散节点、复位晶体管和源极跟随器晶体管。复位晶体管包括耦合至浮置扩散节点的第一源极/漏极和耦合至第一电压源的第二源极/漏极。源极跟随器晶体管包括耦合至浮置扩散节点的栅极和耦合至复位晶体管的第二源极/漏极的第一源极/漏极。第一细长接触件接触复位晶体管的第二源极/漏极和源极跟随器晶体管的第一源极/漏极。第一细长接触件在水平截面中具有第一尺寸,并且在所述水平截面中具有第二尺寸。第二尺寸垂直于第一尺寸,并且第二尺寸小于第一尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
来源:金融界