国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“分体式基座、外延生长装置及外延生长方法”的专利，公开号CN122428370A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明涉及一种分体式基座、外延生长装置及外延生长方法。所述分体式基座包括：基座主体，呈圆盘状，所述基座主体包括相对分布的正面和背面，且圆盘状的所述基座主体的正面的边缘区域具有一环形凹槽；支撑结构，凸出设置于所述基座主体的正面上，用于承载待处理的衬底；分体式环状圈，嵌入所述环形凹槽内，所述分体式环状圈包括相对分布的上表面和下表面，且所述分体式环状圈能够沿第一方向升降运动，使得所述分体式环状圈的上表面高于所述基座主体的正面，其中，所述第一方向与所述基座主体的正面垂直相交。本发明提高了外延层整体的厚度均匀性，改善了外延层的纳米形貌。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息288条，此外企业还拥有行政许可201个。

重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目15次，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可17个。

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