铠侠申请半导体装置及半导体存储装置专利，晶体管特性优异_资讯

铠侠申请半导体装置及半导体存储装置专利，晶体管特性优异

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2026-03-23 23:22:04

国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及半导体存储装置”的专利，公开号CN121711998A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及半导体存储装置，其晶体管特性优异。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1电极与第2电极之间的第1氧化物半导体层；第2氧化物半导体层，在与连结第1电极与第2电极的第1方向垂直的第2方向，与第1氧化物半导体层隔开；栅极电极，包围第1氧化物半导体层及第2氧化物半导体层，在第2方向延伸；及栅极绝缘层。栅极电极包含第1部分与第2部分。第1部分在第2方向与第1氧化物半导体层对向，与栅极绝缘层相接，具有第1方向的第1长度，第2部分在第2方向从第1氧化物半导体层离开第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层之间的距离的1/2的距离，具有第1方向的第2长度。第1长度长于第2长度。

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来源：市场资讯

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