2月24日消息，据路透社报道，荷兰光刻机大厂ASML在极紫外光（EUV）技术上取得了新的关键进展，计划将光源功率由600W提升至1000W。

而一旦EUV光源提升至1000W，ASML的EUV光刻机的产能就可由每小时220 片提升至330 片，单位产出成本则基本维持不变。

也就是说，在既有产线架构与空间条件下，仅通过对EUV光刻机的升级，即可实现约50%的产能增长，将直接改善晶圆厂的营运效率与资本支出配置结构。

ASML 技术主管Michael Purvis 表示，这套1000W光源系统并非短时间实验成果，而是在符合客户量产环境所有条件下，能稳定运作的完整解决方案。他强调，该技术已达可实际部署标准，而非仅止于实验展示。

在导入策略方面，ASML 过去曾向客户提供“生产力强化套件”（Productivity Enhancement Packages，PEP），让EUV光刻机可在不更换整机的前提下进行升级。

不过，早期NXE:3400C/D 机型曾因热负载上限而面临技术瓶颈，后续才逐步导入更高功率光源。因此，市场推测此次升级方案将优先锁定较新的NXE:3800E 系列，以及High-NA EUV 机型EXE:5000 与EXE:5200。

至于竞争对手，尽管中国积极推动自主半导体设备研发，美国新创Substrate亦尝试以粒子加速器产生更短波长X光线的技术路线切入市场，并宣称成本具优势，但在量产级EUV 曝光领域，ASML 目前仍维持主导地位。

不过，光源功率提升同时也带来工程层面的新挑战，包括更高的用电需求、散热能力提升，以及氢气流量与稳定度控制等问题。晶圆厂在评估升级效益之际，亦须同步观察既有基础设施是否足以支撑更高功率运作条件。

编辑：芯智讯-林子