公告显示，公司于近日收到公司董事长、总经理尹志尧出具的《减持意向书》，尹志尧计划减持公司股份数量不超过29万股，占公司总股本比例0.046%。以中微公司最新股价粗略计算，尹志尧拟减持股票市值约为9764万元。

而引发关注的是这份减持计划的减持原因，公告显示，尹志尧本次减持原因为：因本人已从外籍恢复为中国籍，为依法办理相关税务的需要。

公开资料显示，尹志尧是半导体领域一个传奇式的人物。1944年，尹志尧出生于北京，1962年考入中国科学技术大学化学物理系，1968年毕业后，先后供职于兰州炼油厂、中科院兰州物理化学所，积累了扎实的科研基础。1978年至1980年，他在北京大学化学系攻读硕士，随后前往加利福尼亚大学洛杉矶分校留学，并获得物理化学博士学位，开启了在半导体领域的深耕之路。

在硅谷的二十年，尹志尧凭借卓越的科研能力，成为半导体行业的顶尖专家。1984年至1986年，他就职于英特尔中心技术开发部，担任工艺工程师；1986年至1991年，就职于泛林半导体，历任研发部资深工程师、研发部资深经理；1991年至2004年，就职于应用材料，历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官。

在应用材料公司工作期间，尹志尧参与并领导了国际几代等离子体刻蚀机的研发，被誉为微观设备领域的“最强大脑”，还获得了86项美国专利和200多项国际专利，被评价为“硅谷最有成就的华人之一”。

2004年，60岁的尹志尧做了一个让人意外的决定，回国创业，随后便有了中微公司。中微公司2025年半年报显示，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款产品进入市场并获得大批量重复性订单。

此前，中微公司2022年年报显示，尹志尧为美国国籍。

2023年年报中则未披露尹志尧国籍。

而在中微公司2024年年报中，尹志尧国籍变更为中国国籍。

综合自：公司公告、红网、每日经济新闻

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