国家知识产权局信息显示，拓荆科技（上海）有限公司申请一项名为“一种加热盘结构和半导体器件的工艺设备”的专利，公开号CN121204647A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种加热盘结构和半导体器件的工艺设备。该加热盘结构包括：第一盘体，用于盛放晶圆；第二盘体，位于所述第一盘体下方，与所述第一盘体间隙配置，所述第二盘体上设有中心抽气口，且所述中心抽气口的抽气中心与所述晶圆同心，用于在沉积工艺结束后，腔内气体经由所述间隙流向所述中心抽气口；以及盘柄，连接所述第二盘体，其内部设有与所述中心抽气口连通的抽气通道，经由所述抽气通道连接外部抽气泵，完成与所述晶圆同心的腔内中心抽气。本发明能够确保在腔内抽气过程中气体流场与晶圆同心分布，从而提高抽气过程中腔内流场的均匀性，降低了内部流场偏心所导致的沉积膜厚不均或者偏心的风险，进而提升产品良率。

天眼查资料显示，拓荆科技（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本143253.79万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆科技（上海）有限公司参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息353条，此外企业还拥有行政许可40个。

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