金融界2024年1月16日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“,公开号CN117412587A,申请日期为2023年5月。
专利摘要显示,提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:衬底,其具有单元阵列区域、外围电路区域、以及位于所述单元阵列区域与所述外围电路区域之间的连接区域;器件隔离区域,其在所述单元阵列区域上限定单元有源区域、在所述外围电路区域上限定外围有源区域、并且在所述连接区域上限定虚设有源区域;以及栅极结构,其包括跨越所述单元阵列区域上的所述单元有源区域延伸到所述连接区域上的所述器件隔离区域中的栅电极,其中,所述虚设有源区域与所述单元有源区域相邻,并且其中,所述虚设有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面所处的水平高度,低于所述单元有源区域的与所述栅极结构垂直地交叠的上表面的水平高度。
来源:金融界