国家知识产权局信息显示,德州仪器公司申请一项名为“具有导电势垒结构的集成装置”的专利,公开号CN121080136A,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,本说明书大体上涉及具有导电势垒结构的集成装置。在实例中,半导体装置(200)包含衬底(202)、导电势垒结构(206)、沟道层(208)、势垒层(210)和栅极(222)。所述衬底具有第一半导体材料。所述导电势垒结构在所述衬底上。所述沟道层具有第二半导体材料且在所述导电势垒结构上。所述势垒层在所述沟道层上,且所述沟道层在所述势垒层与所述导电势垒结构之间。所述栅极在所述势垒层上方,所述栅极与所述沟道层相对。
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