金融界2024年4月13日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“,公开号CN117878060A,申请日期为2024年3月。
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,属于半导体技术领域,所述半导体结构包括:衬底,包括逻辑区域和像素区域;栅极结构,设置在逻辑区域和像素区域的衬底上;自对准硅化物层,设置在逻辑区上,且设置在栅极结构和栅极结构两侧的衬底上;保护层,设置在像素区域,覆盖像素区域的衬底和栅极结构;第一覆盖层,设置在保护层上;以及缓冲层,设置在逻辑区域和第一覆盖层上,覆盖第一覆盖层以及逻辑区域上的衬底和栅极结构,且保护层和缓冲层的厚度差距小于10Å。通过本发明提供的一种半导体结构及其制造方法,提高半导体结构的性能。
来源:金融界