金融界2024年4月12日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件“,公开号CN117881181A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,提供了半导体存储器件。所述半导体存储器件包括:衬底,包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区;沟槽,位于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间并且形成在所述衬底中;单元栅极绝缘层,位于所述沟槽的侧壁和底表面上;单元栅电极,位于所述单元栅极绝缘层上;功函数控制图案,位于所述单元栅电极上,包括第一导电类型的杂质;以及单元栅极覆盖图案,位于所述功函数控制图案上。所述功函数控制图案包括半导体材料。所述功函数控制图案包括第一区域和位于所述第一区域与所述单元栅电极之间的第二区域。所述第一区域中的所述第一导电类型的杂质的浓度大于所述第二区域中的所述第一导电类型的杂质的浓度。
来源:金融界