金融界2024年3月30日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“背接触太阳能电池的制备方法“,公开号CN117790600A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本申请涉及一种背接触太阳能电池的制备方法,通过在第一极性区和第二极性区分别设置第一掩膜层和第二掩膜层,然后在第一极性区和第二极性区的交界处进行不同程度的掩膜层损伤。由于第一掩膜层的第一区域完全去除,第二掩膜层的第二区域沿层叠方向的部分去除,因此在刻蚀第一极性区和第二极性区的过程中,第一极性区对应第一区域的位置会被完全刻蚀,从而形成隔离区;剩余的第二掩膜层会起到阻挡作用,使得第二极性区对应第二区域的位置不会被完全刻蚀,因而第二极性区不会形成隔离区。也即,只在第一极性区的边缘部分形成了隔离区,不仅解决了漏电和短路问题;而且大幅缩窄了隔离区的宽度,有利于载流子收集,从而提升光电转换效率。
来源:金融界