台积电取得半导体器件专利，专利技术能实现优化晶体管结构_资讯

台积电取得半导体器件专利，专利技术能实现优化晶体管结构

金融界

2024-03-31 06:34:46

金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN113764515B，申请日期为2021年2月。

专利摘要显示，根据本公开的实施例的半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括位于第一和第二源极/漏极部件之间的第一沟道构件、包围在第一沟道构件周围的第一栅极结构、设置在第一源极/漏极部件上方的第一源极/漏极接触件以及设置在第一栅极结构与第一源极/漏极接触件之间的第一顶部栅极间隔件。第二晶体管包括位于第三和第四源极/漏极部件之间的第二沟道构件、包围在第二沟道构件周围的第二栅极结构、设置在第三源极/漏极部件上方的第二源极/漏极接触件以及设置在第二栅极结构与第二源极/漏极接触件之间的第二顶部栅极间隔件。第二栅极间隔件和第二源极/漏极接触件之间的距离大于第一栅极间隔件和第一源极/漏极接触件之间的距离。

来源：金融界

栅极间隔公告包括晶体管构件结构专利距离部件隔件沟道栅极间极间

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