金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“的专利,公开号CN117750768A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,半导体器件包括栅电极结构、第一划分图案和存储沟道结构。栅电极结构包括在第一方向上堆叠并在第二方向上延伸的栅电极。第一划分图案在第二方向上延伸穿过栅电极结构,并且在第三方向上划分栅电极结构。存储沟道结构延伸穿过栅电极结构,并且包括沟道和电荷储存结构。第一划分图案包括在第三方向上彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一凹槽在第一侧壁上在第二方向上彼此间隔开,并且第二凹槽在第二侧壁上在第二方向上彼此间隔开。第一凹槽和第二凹槽在第三方向上不重叠。
来源:金融界