金融界2024年3月19日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“,公开号CN117727691A,申请日期为2023年5月。
专利摘要显示,一种半导体器件包括:第一接触结构,连接到下部结构;第一导电布线,连接到第一接触结构;第一蚀刻停止层和层间绝缘层,顺序地设置在第一导电布线上;第二接触结构,穿过第一蚀刻停止层,设置在层间绝缘层中,并且连接到第一导电布线;第二导电布线,设置在第二接触结构上,并且设置在层间绝缘层中;阻挡层,包括在第二接触结构的底表面上的第一阻挡部;第二蚀刻停止层,设置在第二导电布线的顶表面和层间绝缘层的顶表面上;以及在阻挡层和延伸部之间的气隙。
来源:金融界