金融界2024年3月18日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体结构、包括半导体结构的晶体管和制造晶体管的方法“,授权公告号CN112909073B,申请日期为2020年7月。
专利摘要显示,一种半导体结构包括:衬底;至少一个掩模层,在第一方向上与衬底间隔开;在衬底与至少一个掩模层之间的第一导电类型的第一半导体区域;在至少一个掩模层上的第二导电类型的第二半导体区域;以及在第一半导体区域上的第一导电类型的第三半导体区域。第三半导体区域可以接触第二半导体区域以在不同于第一方向的第二方向上形成PN结结构。该半导体结构可以应用于垂直功率器件,并且能够提高耐受电压性能和降低导通电阻。
来源:金融界