金融界2024年3月15日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“操作记忆体单元的方法“,公开号CN117711464A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,一种操作一记忆体单元的方法包括以下步骤。使用一第一电压对该记忆体单元执行第一多个偏压操作,其中该记忆体单元包含一可变电阻图案,且所述第一多个偏压操作的每一循环的该第一电压具有一相同的第一极性。判定该记忆体单元是否到达一疲劳临限值。在该判定步骤判定该记忆体单元达到该疲劳临限值之后,使用一第二电压对该记忆体单元执行第二多个偏压操作,其中所述第二多个偏压操作的每一循环的该第二电压具有一相同的第二极性,且该第二极性与该第一极性相反。
来源:金融界