金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“三维半导体存储器件和包括该三维半导体存储器件的电子系统“,公开号CN117641920A,申请日期为2023年5月。
专利摘要显示,一种三维半导体器件包括:源极结构,包括单元区和延伸区;栅极堆叠结构,设置在源极结构上,该栅极堆叠结构包括彼此交替地堆叠的绝缘图案和导电图案;绝缘结构,设置在栅极堆叠结构上,该绝缘结构包括多个绝缘层;存储沟道结构,穿透栅极堆叠结构,并电连接到单元区;分离结构,穿透栅极堆叠结构,并从单元区延伸到延伸区;以及穿透插塞,穿透栅极堆叠结构和延伸区,其中,穿透插塞包括:第一插塞部分,穿透栅极堆叠结构;以及第二插塞部分,在第一插塞部分上,其中,分离结构包括:第一分离部分,穿透栅极堆叠结构;以及第二分离部分,在第一分离部分上,并且其中,第一插塞部分的顶表面与第一分离部分的顶表面处于基本相同的高度处。
来源:金融界