金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“,公开号CN117641937A,申请日期为2023年4月。
专利摘要显示,提供了半导体器件。所述半导体器件包括:有源图案;栅极结构,其位于所述有源图案上;位线结构,其电连接到所述有源图案;存储节点接触,其电连接到所述有源图案;以及着陆焊盘,其电连接到所述存储节点接触,其中,所述着陆焊盘包括:第一焊盘平坦侧壁和第二焊盘平坦侧壁,其彼此相反;第三焊盘平坦侧壁,其位于所述第一焊盘平坦侧壁与所述第二焊盘平坦侧壁之间;第四焊盘平坦侧壁,其位于所述第一焊盘平坦侧壁与所述第二焊盘平坦侧壁之间;第一焊盘弯曲侧壁,其位于所述第一焊盘平坦侧壁与所述第三焊盘平坦侧壁之间;以及第二焊盘弯曲侧壁,其位于所述第一焊盘平坦侧壁与所述第四焊盘平坦侧壁之间。
来源:金融界
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