9月2日消息，据外资投行高盛最新发布的研究报告称，虽然中国近年来在半导体领域发展迅速，但是在半导体制造关键环节的光刻机研发上仍存在瓶颈，而中国国产光刻机目前仍停留在65纳米，至少落后国际大厂20年的时间。

目前制造5nm及以下更先进制程的芯片需要依靠极紫外光（EUV）光刻机，而埃米级制程则需要用到更先进的高数值孔径（High NA）EUV光刻机，目前这些最先进的光刻机只有荷兰公司 ASML能够制造。但由于ASML的这些光刻机仍依赖于美国原产的关键零部件，这也使得美国政府能够限制它们对中国的销售。

美国和荷兰政府的禁令对中国科技产业造成了深远影响，这也使得中国本土的晶圆制造商难以获取先进的光刻机，先进制程的芯片制造水平目前仍停留在7nm级别。

高盛在报告中指出，即便中芯国际能生产出7nm制程的芯片，但是这些7nm芯片极有可能还是通过ASML较旧的深紫外光（DUV）光刻机来生产制造，因为中国目前尚不具备制造这类先进光刻机的能力，因为这些设备的核心零组件主要来自全球供应商，尤其是美国和欧洲的供应商。

光刻技术是在晶圆上构建精细电路的关键，这也使其成为芯片制造流程中的决定性瓶颈。 目前，全球领先的芯片制造商如台积电正利用ASML的光刻机大规模生产3nm芯片，并即将量产2nm芯片。 而中国国产的光刻机的技术水平仍停留在相对陈旧的65nm制程。

高盛的报告还引述了公开数据强调，ASML为了从65nm技术跃升至低于3nm的光刻能力，经过了二十年的时间，并投入了高达400亿美元的研发与资本支出。 综合考量中国当前技术水平与所需庞大投入，以及全球供应链的复杂依赖性，高盛认为中国光刻机厂商在短期内赶上西方先进技术的可能性较小。 这无疑为中国在高端芯片领域达成自给自足的愿望，设下了巨大的障碍。

编辑：芯智讯-浪客剑