目前在全球的NAND存储领域，三星、SK海力士这两家是真正的霸主，三星全球第一、SK海力士全球第二，这两家合计份额高达50%左右。

而长江存储作为NAND领域的后起之秀，说实在话，不管是在市场份额，还是在技术上，与三星、SK海力士等相比，还是有一定差距的。

但是，尴尬的事情来了，现在的三星、SK海力士，却偏偏在NAND这种存储芯片上，被长江存储卡住了了脖子。

事情的原委究竟是什么样的呢？

我们知道NAND闪存芯片，在追求技术先进时，是不能只靠微缩工艺比如5nm、3nm来进行的，因为存储芯片进入18nm后，再微缩就非常不稳定，容易造成数据丢失等风险。

所以存储芯片部分，大多到了18nm或15nm之后，就不再微缩工艺了。

但工艺不微缩，存储密度、存储速度怎么加快？目前的主流做法是两步，一是将芯片进行堆叠，设计成128层，232层，400层这样的，类似于建高楼，越高住的人越多，存储的东西越多。

然后将存储部分，和接口电路部分分开，存储部分不能微缩工艺，但是外部的接品电路部分，是可以用5nm、3nm这样工艺的，读写速度更快。

但存储部分、外部接口电路部分分开后，就又需要将这两部分联系在一起，这种技术叫做【混合键合】技术，所以这项技术，已经是NAND存储芯片绕不开的技术了。

过去的这几年，混合键合技术高速发展，自2019 年以来，混合键合相关专利的数量增加了四倍多，而台积电、Adeia 和长江存储是混合键合 IP 的领先者。

台积电这方面的专利主要集中在 2.5D 和 3D IC 应用，用于其自身的芯片制造、封装等。

而长江存储的混合键合技术专利，则主要集中在存储芯片领域，涉及NAND、DRAM 和 SRAM。包括逻辑和存储器芯片的混合键合，以及围绕键合层的外围电路集成，长江存储将这种技术称之为“Xtacking”（晶栈）。

数据显示，从2017 年至 2024 年 1 月期间，长江存储共披露了 119 项混合键合相关专利，而三星仅披露了 83 项专利， SK 海力士只披露了 11 项，两者合计都没有长江存储一家多。

所以为了发展NAND存储芯片，三星已从 YMTC 获得混合键合专利 ，以制造其下一代NAND 闪存芯片，机构预计 SK 海力士也将寻求达成类似的协议，毕竟长江存储的专利被认为是不可避免的，三星们无法绕开。

可见，这次中国企业长江存储，虽然作为后者之秀，但是真的在技术上，卡住了三星、SK海力士的脖子了，这也证明，中国企业在芯片上一样能行的。