重庆芯联微电子申请金属栅极制备方法专利，增加器件的通道应力_资讯

重庆芯联微电子申请金属栅极制备方法专利，增加器件的通道应力

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2025-06-14 00:41:20

金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种金属栅极的制备方法”的专利，公开号CN120152362A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明提供一种金属栅极的制备方法，包括步骤：提供衬底，形成伪栅极结构于衬底上，形成包覆栅氧化层与伪栅极层的接触刻蚀停止层于衬底上，形成显露伪栅极结构的层间介质层于接触刻蚀停止层上，去除伪栅极结构，得到伪栅极沟槽，依次形成高K介质层、功函数层及金属栅极于伪栅极沟槽中，高K介质层覆盖伪栅极沟槽的底面，功函数层位于高K介质层上并覆盖伪栅极沟槽的侧墙，去除部分功函数层与部分金属栅极以形成凹槽，形成补充层于凹槽中并桥接凹槽两侧的接触刻蚀停止层，且补充层的材料与接触刻蚀停止层的材料相同。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目708次，专利信息112条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

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