金融界2024年2月24日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“封装结构及其形成方法“,授权公告号CN113471176B,申请日期为2021年1月。
专利摘要显示,示例性结构包括:第一半导体器件,通过第一导电连接件接合至第一再分布结构的第一侧;第一半导体器件包括形成在第一衬底上的第一多个无源元件,第一再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层,第一再分布结构的金属化图案电耦接至第一多个无源元件;第二半导体器件,通过第二导电连接件接合至第一再分布结构的第二侧,第一再分布结构的第二侧与第一再分布结构的第一侧相对,第二半导体器件包括形成在第二衬底上的第二多个无源元件,第一再分布结构的金属化图案电耦接至第二多个无源元件。本申请的实施例还涉及封装结构及其形成方法。
来源:金融界