据闪德资讯获悉，NAND闪存巨头铠侠在公司战略会议，宣布了在AI时代的中长期增长战略。

正在开发一款面向AI应用超高速度、超强性能需求的SSD。

这款SSD将结合XL-FLASH高性能SLC NAND和新的主控，在随机读取中可提供10M IOPS，是现有企业级TLC PCIe 5.0 SSD 水平（3000+K IOPS）的三倍。

铠侠计划在明年下半年实现出样。

在介于存储金字塔DRAM和普通NAND间的SCM层级中，铠侠还计划在2026年下半年出样支持CXL的XL-FLASH存储产品。

此外正与南亚科技联手开发4F2布局的氧化物半导体 (IGZO) 通道晶体管DRAM内存OCTRAM，实现低漏电流和低功耗。

铠侠也分享了NAND闪存路线图，未来的BiCS 10将达到332L，最大容量2Tb，接口速率4800MT/s，同时读取延迟、写入功耗和比特密度都将得到改进。

铠侠规划人工智能领域的增长路线，目标是到2029年（2029/4-2030/3）通过先进SSD开发，满足人工智能应用近一半的NAND需求。

以存储容量为基准，提高到2024年度的2倍。

正在增强SSD产品组合，推出基于第八代BiCS FLASH的CM9和LC9系列等高性能产品。

铠侠正在加大新一代BiCS FLASH产量，并计划到2026年推出一款每秒输入/输出 (IOPS) 超过1000万次的超高速SSD。

在推进这些创新的同时，铠侠目标是将资本支出保持在收入的20%以下，并将研发投入保持在8%至9%之间，从而实现20%左右的营业利润率，并实现净现金流的过渡。

铠侠的扩张与科技领域AI加速融合的趋势相契合，这推动了数据中心和个人设备对NAND存储的需求。

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