众所周知，目前全球只有ASML一家能够研发出EUV光刻机。

而EUV光刻机，又是所有芯片制造企业，进入7nm以下工艺的必备设备，所以说，这也相当于ASML卡住了全球所有芯片制造企业的脖子，只要想进入7nm以下，就得找ASML。

但ASML在销售ASML光刻机时，自己说了不算，要听美国的，而美国不允许ASML卖EUV给中国。

所以，我们只有自研EUV光刻机，才能制造出7nm以下的芯片。虽然说浸润式DUV似乎也行，但需要多次曝光，良率太低，成本太高，无法大规模量产。

所以一直以来，中国也在努力的进行突破，希望早日能够研发出属于自己的EUV光刻机，那么禁令什么的就成废纸了。

EUV光刻机，最为核心的主要是三大系统，分别是光源系统，物镜系统和工作台。

其中光源系统是核心，所谓的光源系统，就是怎么样稳定、高效的产生13.5nm的极紫外线。

ASML的作法是将高功率二氧化碳激光脉冲，照射在直径为30微米的锡滴液靶材上，激发出高功率的 13.5 nm的等离子体，将其作为光刻机的光源。

这种办法最大的缺点是什么呢，那就是转换效率太低，只有3%左右，也就是100W的输入功率，最后可能只有3W输出功率，这也是为何EUV光刻机是耗电大户的原因。

而近日，中国研发团队，在EUV光线的产生上，有了重大突破。

上海光机所林楠团队宣布突破了极紫外EUV光源平台，离造出EUV光刻机又近了一步。

林楠团队采用的是一种固体激光驱动技术，用1 μm固体激光激发Sn等离子体，一样能够产生13.5 nm极紫外线。

且这种方法的最大转换效率可能接近6%，远高于ASML使用的二氧化碳激光脉，是其2倍左右。

估计有些人会觉得这不靠谱，那我就再说一说，林楠可不是普通人，之前他曾任ASML公司研发科学家、研发部光源技术负责人，在2021年时，林楠作为国家海外高层次人才回国，为国效力。

而在加入ASML之前，他师从2023年诺贝尔物理学奖得主安妮·吕利耶（Anne L’Huillier），很明显在这一块，可以说，他有经验，有技术，有能力的大拿级别的人物。

目前林楠团队的研究，发表在《中国激光》2025年的第6期杂志上。

不过针对中国在EUV光源上的进步，ASML的CEO克里斯托夫·富凯则称，中国也许能制造出一些EUV光源，但一台EUV光刻机可不只是EUV光源，如果要制造出一台EUV光刻机，中国可能还需要很多很多年的时间。

不得不说，他说的是事实，但只要我们对这些核心系统，一一突破，那么离EUV光刻机也不远了，至少我们是越来越近了。