金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽型功率器件及制备方法”的专利，公开号 CN 119403153 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种屏蔽栅沟槽型功率器件及制备方法。本方法包括：准备待处理的半导体晶圆；对半导体晶圆的外延层上表面以及沟槽结构进行栅极多晶硅沉积，使得沟槽结构上方形成凹槽；刻蚀所述凹槽内的栅极多晶硅，直至抵达在源极多晶硅上方的氧化层以形成两个子栅，两个子栅之间构成栅间沟槽；对栅极多晶硅进行平坦化处理直至露出外延层表面的氧化层；形成氧化膜介质层，覆盖于所述外延层上表面覆盖的氧化层以及栅极多晶硅之上；对氧化膜介质层进行平坦化处理，以获得氧化膜介质层的平整表面。本发明提供的屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法，可以调整栅源交叠面积，降低栅源电容，增加器件制备的自由度。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币，实缴资本895000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目23次，知识产权方面有商标信息15条，专利信息241条，此外企业还拥有行政许可16个。

来源：金融界