内存大厂SK海力士宣布推出首款321层堆栈NAND Flash闪存产品，直接威胁竞争对手三星电子地位。三星不但高带宽内存（HBM）和DRAM被超越，NAND Flash堆栈层数竞争也失去领先地位，劣势蔓延至各内存产品。

SK海力士日前宣布量产堆栈层数321层1Tb TLC NAND Flash，业界最高堆栈层数产品为200层内，SK海力士成为第一家成功量产300层堆栈以上NAND Flash公司，更站上领先地位。

官方数据显示，SK海力士321层堆栈TLC NAND Flash，数据传输速度比上代产品快12%，读取性能提高13%，数据读取功耗效率也提升10%以上。SK海力士以321层堆栈NAND Flash积极应对低功耗、高性能AI市场，并逐步扩大应用范围。

BusinessKorea报道，SK海力士300层堆栈NAND Flash取得领先，引起三星更大危机感，首先开发垂直堆栈NAND Flash产品的正是三星。熟知三星的人士表示，上代产品三星最初开发阶段取得领先，但SK海力士显著进步，使三星拓展业务更困难。

与DRAM相比，NAND Flash一直处于AI热潮之外，但最近发生变化，数据中心支持AI运算快速高性能固态硬盘（SSD）需求激增，尤其企业级SSD（eSSD）表现与HBM需求类似，SK海力士从AI带动NAND Flash热潮受益最多。统计第三季SK海力士eSSD销量较前一年同期增加430%，占SSD总销量60%。

SK海力士正加速扩大以eSSD为中心的NAND Flash竞争力，SK集团董事长Chey Tae-won出任SK海力士子公司Solidigm董事长。Solidigm是业界唯一有量产QLC NAND Flash技术的公司，eSSD供应处于领先。QLC容量高效，非常适合大容量AI数据中心eSSD，AI数据中心比PC和手机需要更高容量和更快存储设备。与传统HDD相比，eSSD有性能优势，加上QLC产品有更高容量和成本竞争力，使产品受AI数据中心重视。

对三星来说，NAND Flash是必须保护的最后一道防线。三星一直是内存产业老大，但AI使格局变化，HBM和DRAM连续面临SK海力士挑战。市场人士表示，如果三星让SK海力士NAND Flash追上，对三星是三重打击。尽管三星销售占比仍势不可挡，但SK海力士不断增长eSSD强劲表现，差距有望迅速缩小，对三星构成强大威胁。

(首图来源：SK海力士)