杭州中欣晶圆申请硅片边缘粗糙度检测方法专利，实现快速准确对焦_资讯

杭州中欣晶圆申请硅片边缘粗糙度检测方法专利，实现快速准确对焦

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2024-10-23 19:01:39

金融界2024年10月23日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“硅片边缘粗糙度的检测方法”的专利，公开号 CN 118794380 A，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种硅片边缘粗糙度的检测方法，所属硅片加工检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将测试硅片放在样品台上，通过调整旋转平台和倾斜模块对硅片边缘倒角处的斜面角度加以调整。第二步：将硅片边缘和镜头高度调至一个合适的位置，然后将镜头的光斑对准硅片边缘。第三步：白光干涉仪会自动升高找干涉条纹。第四步：设置测试边缘粗糙度的应用程序，通过用压电换能器垂直移动物镜对被测物进行扫描。第五步：通过分析并量化硅片边缘的表面形貌，边缘面的实体模型、绘图和数字表示形式在显示器上进行实时显示。对硅片边缘斜面进行旋转、倾斜和角度的调整，实现快速准确对焦，进而对硅片边缘粗糙度和边缘表面状态进行检测。

来源：金融界

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