近日，有媒体报道称，国产EDA公司的产品，已经通过了3nm工艺技术的认证，可以用于3nm芯片的设计了。

事实上，这个消息并不意外，因为早在去年就已经有国产EDA厂商表示，在一些关键流程上，实现了3nm，所以今年再说通过3nm工艺技术认证，就顺理成章了。

事实上，不只是EDA这一块，目前在芯片设计、封测这两大关键环节上，我们都已经拥有了3nm的技术，真正缺的是制造，只要制造能跟上，3nm芯片早就不是问题了。

先说芯片设计这一块，早在2020年华为海思就已经设计出了5nm的芯片麒麟9000系列，并于当年由台积电代工，在2020年的时候，麒麟9000系列就不比高通、苹果的5nm芯片差。

如今4年过去了，高通、苹果、联发科都进入了3nm，华为海思想都不用想，肯定进入了3nm，只是找不到代工厂而已。

另外除了海思之外，国内还有很多做芯片设计的，有些在设计CPU、有些是GPU，还有些ASIC芯片，三星第一代3nm芯片的客户，就是国内的某矿机公司，也是3nm工艺的。

所以芯片设计实现3nm，早就不是问题，我们早就具备这一技术水平了。

再看封测这一块，说真的封测没太多技术门槛，中国也很强的，一直和世界顶尖水平是同步的，早在4年前的2020年，中国大陆的封测企业就已经在封测5nm芯片了。

而在去年的时候，就有封测企业表示已经实现了3nm芯片的封测，所以现在封测3nm早就不是问题了，也许随着intel的2nm芯片出现，封测2nm芯片都有可能。

所以说，我们缺的其实还是制造，目前在制造领域，公开的技术是14nm，而不公开的技术是多少，大家依据麒麟9000S、麒麟9010就能够猜测的出来。

可能很多人会说了，我们其实差的是光刻机，只要有EUV光刻机，那么5nm、3nm芯片就也能制造了，其实差的不只是光刻机。

制造5nm、3nm的芯片需要几百种半导体设备，这些设备都需要达到5nm、3nm的水平的，目前国内的半导体设备，更多的还是在14nm、28nm阶段。

所以不仅仅是光刻机的问题，我们在整个半导体设备领域，还有很多课要补，得慢慢来才行，不能急于求成，更何况能制造7nm芯片就已经很好了。