目前，全球前道光刻机厂商，仅4家。

分别是荷兰的ASML，日本的佳能、尼康，以及中国的上海微电子这么四家。

大家的技术是荷兰的ASML已经达到了2nm阶段，也就是EUV光刻机，并且是High NA EUV，属于第二代产品，NA=0.55，可制造2nm芯片。

日本的尼康已经搞定了浸润式光刻机，也就是ArFi，可以实现7nm工艺。

而佳能逊色一些，只有ArF，对外宣称的是只有90nm水平，而上海微电子，对外宣称的也是90nm水平，也就是ArF的水平。

而从市场来看，ASML、佳能、尼康三家垄断了全球几乎100%的前道光刻机份额，上海微电子在前道光刻机领域的份额可以忽略，主要集中在后道封装这一块。

也正因为如此，所以中国一直是大量从国外进口光刻机，特别是2023年、2024年，因为禁令不断收紧，中国又在大规模扩产、新建芯片产能，所以进口越来越多。

于是很多人都觉得，国产光刻机必须突破才行，仅90nm肯定是不够的，不说达到EUV级别，就算和尼康水平同级，能实现浸润式DUV，能制造7nm芯片就完美了。

因为理论上浸润式DUV，在经过多重曝光后，达到5nm也不是没有可能。

那么问题来了，国产光刻机，什么时候进入浸润式？当然这个消息不会告诉你的，但在我看来，应该是已经到临界点了，快要突破了。

为何这么说？其实一台光刻机的原理不复杂，就是光源穿过光掩模，并通过透镜使得光掩模缩小，最终使光落于覆盖有光刻胶的基板上，最终完成对底片的雕刻。

核心是三部分，光源系统，物镜系统，双工作台，另外的当然也重要，但却不是最关键的核心。

光源方面，非浸润式DUV和浸润式DUV是一样的，都是采用193nm的波长，我们早就掌握了。

而工作台方面，其实也是可以和非浸润式DUV光刻机采用一样的，国内的华卓精科就有双工作台，其精度满足浸润式DUV光刻机使用，没什么问题的。

难的是物镜系统，浸润式DUV光刻机，相比于非浸润式，会在硅片前面，加一层水，这个需要物镜系统的配合。

而物镜系统这一块，是蔡司和ASML合作造出来的，不卖给中国，中国只有自己研发，这也是最关键，最难的一步。

不过有媒体报道称，这几年我们一直在攻克这一块，只要这一块攻克了，浸润式光刻机就会推出来，而长春光电所、长春国科精密、国望光电、中谱科仪等均有研发，也许很快就会突破了。

可见，国产浸润式DUV光刻机，真的只差最后这一步了，已到临界点了，突破也许很快了，你觉得呢？